Nanos substrata iz aluminijevega nitrida
Zaradi visoke toplotne prevodnosti in odlične električne izolacije se je AlN uporabljal v mikroelektronski industriji.
Površinska oksidacija se je zgodila na zraku tudi pri sobni temperaturi, vendar lahko plast aluminijevega oksida zaščiti material do 1370 C. Na voljo so metode metalizacije, ki omogočajo uporabo aluminijevega nitrida v elektronskih aplikacijah, podobnih tistim iz aluminijevega oksida in berilijevega oksida.
Trdota keramike iz aluminijevega nitrida je celo višja od trdote aluminijevega oksida, tradicionalne tehnične keramike, zaradi česar je idealen material za aplikacije, ki zahtevajo dobro odpornost proti obrabi.
Prednost AlN keramike
* Very high thermal conductivity (>170 W/mK)
* High electrical insulation capacity (>1.1012Ωcm)
* Strength according to the double ring method >320 MPa (dvoosna trdnost)
* Nizka toplotna razteznost 4 do 6x10-6K-1(med 20 in 1000 stopinjami)
* Dobra sposobnost metalizacije
